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飛行時間二次離子質譜儀
產品簡介

飛行時間二次離子質譜儀PHI nano TOF3+,先進的多功能TOF-SIMS具有更強大的微區分析能力,更加出色的分析精度

產品型號:PHI nano TOF3+
更新時間:2025-03-19
廠商性質:代理商
訪問量:4189
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飛行時間二次離子質譜儀(yi)  PHI nanoTOF3+ 

特征

先進的多功能TOF-SIMS具有更強大的微區分析能力,更加出色的分析精度 

飛行時間二次離子質譜儀(yi)

新一代 TRIFT 質量分析器,更好的質量分辨率 

適用於(yu) 絕緣材料的無人值守自動化多樣品分析 

離子束技術 

平行成像 MS/MS 功能,助力有機大分子結構分析 

多功能選配附件

TRIFT分析器適用於(yu) 各種形狀的樣品 寬帶通能量+寬立體(ti) 接收角度

寬帶通能量、寬立體(ti) 接受角-適用於(yu) 各種形貌樣品分析

主離子束激發的二次離子會(hui) 以不同角度和能量從(cong) 樣品表麵飛 出,特別是對於(yu) 有高度差異和形貌不規則的樣品,即使相同 的二次離子在分析器中會(hui) 存在飛行時間上的差異,因此導致 質量分辨率變差,並對譜峰形狀和背景產(chan) 生影響。 TRIFT質量分析器可以同時對二次離子發射角度和能量進行 校正, 保證相同二次離子的飛行時間一致, 所以TRIFT兼顧 了高質量分辨率和高檢測靈敏度優(you) 勢,而且對於(yu) 不平整樣品 的成像可以減少陰影效應。

飛行時間二次離子質譜儀(yi)

實現高精度分析的一次離子設備

先進的離子束技術實現更高質量分辨

PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析:在高質量分辨模式下,其空間分辨率優(you) 於(yu) 500nm ;在高空間分辨模式下,其空間分辨模式優(you) 於(yu) 50 nm。通過結合強度高離子源、高精度脈衝(chong) 組件和高分辨率質量分析器,可以實現低噪聲、高靈敏度和高質量分辨率的測量;在這兩(liang) 種模式下,隻需幾分鍾的測試時間,均可完成采譜分析。

前所未見的無人值守TOF-SIMS自動化多樣品分析 -適用於(yu) 絕緣材料

PHI nanoTOF3+搭載全新開發的自動化多樣品分析功能,程序可根據 樣品導電性自動調整分析時所需的高度與(yu) 樣品台偏壓, 可以對包括 絕緣材料在內(nei) 的各類樣品進行無人值守自動化TOF-SIMS分析。 整個(ge) 分析過程非常簡單, 隻需三步即可對多個(ge) 樣品進行表麵或深度 分析 :①在進樣室拍攝樣品台照片 ;②在進樣室拍攝的照片上分析點 ;③按下分析鍵,設備自動開始分析。 過去,必須有熟練的操作人員專(zhuan) 門操作儀(yi) 器才能進行TOF-SIMS分析 ; 現在,無論操作人員是否熟練,都可以獲得高質量的分析數據

飛行時間二次離子質譜儀(yi)

標配自動化傳(chuan) 樣係統

PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表現優(you) 異的全自動樣品傳(chuan) 送係 統 :樣品尺寸可達100mmx100 mm, 而且分析室標配內(nei) 置 樣品托停放裝置 ;結合分析序列編輯器(Queue Editor),可以實現對大量樣品的全自動連續測試。

采用新開發的脈衝(chong) 氳離子設備獲得證書(shu) 的自動荷電雙束中和技術

TOF-SIMS測試的大部分樣品為(wei) 絕緣樣品,而絕緣樣品表麵 通常有荷電效應。PHI nanoTOF3+ 采用自動荷電雙束中和 技術,通過同時發射低能量電子束和低能量氳離子束,可實現對任何類型和各種形貌的絕緣材料的真正自動荷電中和,無需額外的人為(wei) 操作。 

*需要選配Ar離子設備

飛行時間二次離子質譜儀(yi)

遠程訪問實現遠程控製儀(yi) 器

PHI nanoTOF3+允許通過局域網或互聯網訪問儀(yi) 器。 隻需將樣品台放入進樣室, 就可以對進樣、換樣、測試和分析等所有操作進行遠程控製。我們(men) 的專(zhuan) 業(ye) 人員可以對儀(yi) 器進行遠程診斷。

*如需遠程診斷,請聯係我們(men) 的客戶服務人員。

從(cong) 截麵加工到截麵分析: 隻需一個(ge) 離子源即可完成

標配離子設備FIB(Focused lon Beam)功能

在PHI nanoTOF3+中, 液態金屬離子具設備備 FIB功能, 可以使用單個(ge) 離子設備對樣品進行 橫截麵加工和橫截麵TOF-SIMS分析。通過操 作計算機, 可以快速輕鬆地完成從(cong) FIB處理 到TOF-SIMS分析的全過程。此外,可在冷卻 條件下進行FIB加工。 

在選配Ga源進行FIB加工時,可以獲得FIB加 工區域的3D影像 ;Ga源還可以作為(wei) 第二分析 源進行TOF-SIMS分析。

通過平行成像MS/MS進行 分子結構分析[選配]

MS/MS平行成像 同時采集MS1/MS2數據

在TOF-SIMS測試中,MS1質量分析分析器接收從(cong) 樣品表麵 產(chan) 生的所有二次離子碎片,對於(yu) 質量數接近的大分子離子, MS1譜圖難以區分。通過安裝串聯質譜MS2,對於(yu) 特定離子 進行碰撞誘導解離生產(chan) 特征離子碎片,MS2譜圖可以實現 對分子結構的進一步鑒定。

PHI nanoTOF3+具備串聯質譜MS/MS平行成像功能, 可以同時獲取分析區域的MS1和MS2數據,為(wei) 有機大分子結構解析提供了強有力的工具。


飛行時間二次離子質譜儀(yi)

多樣化配置充分發揮TOF-SIMS潛力

可拆卸手套箱:可安裝在樣品導入室

可以選配直接連接到樣品進樣室的可拆卸手套箱。 鋰離子電池和有機 OLED等容易與(yu) 大氣發生反應的樣品可以直接安裝在樣品台上。此外,在 冷卻分析後更換樣品時,可以防止樣品表麵結霜。

飛行時間二次離子質譜儀(yi)

氬團簇離子源(Ar-GCIB):有機材料深度剖析

使用氬團簇離子源(Ar-GCIB)能夠有效減少濺射過程中對有機材料的破壞,從(cong) 而在刻蝕過程中保留有機大分子結構信息。

Cs源和Ar/O2源:無機材料深度剖析

可根據測試需求選擇不同的離子源提高二次離子產(chan) 額,使用Cs源可增強負離子產(chan) 額 ;O2源可增強正 離子產(chan) 額

 

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