PHI X射線光電子能譜儀 提供了一種全新的用戶體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。
操作界麵可在同一個屏幕內設置常規和高級的多功能測試參數，同時保留諸如進樣照片導航和 SXI 二次電子影像精細定位等功能。

PHI Genesis 500是新一代配置了全自動多功能掃描聚焦X 射線光電子能譜，易操作式多功能選配附件，能夠實現全自動樣品傳(chuan) 送停放，同時還具備高性能大麵積和微區XPS 分析，快速準確深度剖析，為(wei) 電池、半導體(ti) 、有機器件以及其他各領域提供多方麵的解決(jue) 方案。

關(guan) 鍵技術

易操作式多功能選配附件

全自動樣品傳(chuan) 送停放

高性能大麵積和微區XPS 分析

快速準確深度剖析

為(wei) 電池、半導體(ti) 、有機器件以及其他各領域提供多方麵解決(jue) 方案 

簡單易操作

PHI X射線光電子能譜儀(yi) 提供了一種全新的用戶體(ti) 驗，儀(yi) 器高性能、全自動化、簡單易操作。
操作界麵可在同一個(ge) 屏幕內(nei) 設置常規和高級的多功能測試參數，同時保留諸如進樣照片導航和SXI 二次電子影
像準確定位等功能。

簡單友好的用戶界麵

PHI GENESIS 提供了一個(ge) 簡單、直觀且易於(yu) 操作的用戶界麵，對於(yu) 操作人員非常友好，操作人員執行簡單的設置操作即可完成包括所有選配附件在內(nei) 的自動化分析。

多功能選配附件

原位的多功能自動化分析，涵蓋了從(cong) LEIPS 測試導帶到HAXPES 芯能級激發的全範圍技術，相比於(yu) 傳(chuan) 統的XPS 而言，PHI GENESIS 體(ti) 現了*的性能價(jia) 值。

優(you) 良解決(jue) 方案：

高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表麵分析需求。

多數量樣品大麵積分析

把製備好樣品的樣品托放進進樣腔室後將自動傳(chuan) 送進分析腔室內(nei)

可同時使用三個(ge) 樣品托

80mm×80mm 的大樣品托可放置多數量樣品

可分析粉末、粗糙表麵、絕緣體(ti) 、形狀複雜等各種各樣的樣品

可聚焦≤ 5μm 的微區X 射線束斑

在PHI GENESIS 中，聚焦掃描X 射線源可以激發二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進行導航、準確定位、多點多區域同時分析測試以及深度剖析。

大幅提升的二次電子影像（SXI）
二次電子影像（SXI）準確定位，保證了所見即所得。*的5μmX 射線束斑為(wei) 微區XPS分析應用提供了新的機遇。

PHI X射線光電子能譜儀(yi) 快速深度剖析

PHI GENESIS 可實現高性能的深度剖析。聚焦X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子設備和高效雙束中和係統可實現全自動深度剖析，包括在同一個(ge) 濺射刻蝕坑內(nei) 進行多點同時分析。

高性能的深度剖析能力

( 下圖左) 全固態電池薄膜的深度剖析。深度剖麵清晰地顯示了在2.0 μm 以下富Li 界麵的存在。
( 下圖右) 在LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從(cong) LiCoO2 層轉移到LiPON 層中，使Co 在LoCoO2 層富Li 界麵由氧化態還原為(wei) 金屬態。

角分辨XPS 分析

PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區分析和高度可重現的中和性能確保了對樣品角分辨分析的*性能。另外，樣品傾(qing) 斜和樣品旋轉相結合，可同時實現角度的高分辨率和能量的高分辨率。

應用領域

主要應用於(yu) 電池、半導體(ti) 、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體(ti) 材
料及器件領域。
用於(yu) 全固態電池、半導體(ti) 、光伏、催化劑等領域的先進功能材料都是複雜的多組分材料，其研發依賴於(yu) 化學結
構到性能的不斷優(you) 化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表麵分析儀(yi) 器“PHI GENESIS” 全自動多功能掃描聚焦X 射線
光電子能譜儀(yi) ，具有*性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平台在各種研究領域的應用

電池 (AES + Transfer Vessel)

“LiPON/LiCoO2 橫截麵的 pA-AES Li 化學成像”
Li 基材料例如LiPON，對電子束輻照敏感。
PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取AES 化學成像。

有機器件 (UPS / LEIPS + GCIB)

使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 測量能帶結構
（1）C60 薄膜表麵
（2）C60 薄膜表麵清潔後
（3）C60 薄膜/Au 界麵
（4）Au 表麵
通過UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結構。

半導體(ti) (XPS + HAXPES)

半導體(ti) 器件通常由包含許多元素的複雜薄膜組成，它們(men) 的研發通常需要對界麵處的化學態進行無損分析。為(wei) 了從(cong) 深層界麵獲取信息，例如柵極氧化膜下的GaN，使用HAXPES 是非常有必要的。

微電子 (HAXPES)

微小焊錫點分析
HAXPES 分析數據顯示金屬態Sn 的含量高於(yu) XPS 分析數據，這是由於(yu) Sn 球表麵被氧化，隨著深度的加深，金屬態Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特點。