GCIB-10S 離子源係統是一種高性能10千伏氣體團簇離子束，用於快速、低損傷濺射和更高質量的表麵分析。GCIB 10S提供了大量有用的功能，包括實時集群大小測量和內置樣本電流成像係統，以幫助您充分利用實驗。

簡介：

GCIB-10S 離子源係統是一種高性能10千伏氣體(ti) 團簇離子束，用於(yu) 快速、低損傷(shang) 濺射和更高質量的表麵分析。

GCIB 10S提供了大量有用的功能，包括實時集群大小測量和內(nei) 置樣本電流成像係統，以幫助您充分利用實驗。 

GCIB-10S 離子源係統具有完整的泵送係統和單獨軟件，是一種栓接式升級，將集束束濺射的力量引入現有的真空儀(yi) 器，如XPS、SEM和SIMS。

主要參數：

特點:  

◇  10kV氬團簇離子源，可選擇Ar1至>Ar3000的團簇；

◇  實時集群測量和調整；

◇  采樣電流成像；

◇  光斑尺寸大，掃描範圍寬，可均勻去除材料；

◇  易於(yu) 安裝在許多高真空儀(yi) 器上；

◇  單獨軟件和基於(yu) web套接字的API，用於(yu) 與(yu) 第三方軟件集成

應用技術： 

GCIB 10S可去除不定碳和其他表麵汙染，而不會(hui) 損壞基材， 同時還可對有機物和聚合物等軟材料進行無損傷(shang) 深度剖析。

右圖顯示了分別使用Ar1和Ar2000蝕刻原始PET表麵前後的C 1s 峰值。數據清楚地顯示了單原子Ar1束（紅色）造成的化學損傷(shang) ，而光譜在暴露於(yu) Ar2000束（藍色）後幾乎保持不變