MDPmap單晶和多晶矽片壽命測量儀被設計成一個緊湊的台式非接觸電學表征工具，用於離線生產控製或研發，在穩態或短脈衝激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入範圍內測量參數，如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數設置允許輕鬆適應各種不同的樣品，包括外延層和經過不同製備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。

單晶和多晶矽片壽命測量設備用於(yu) 複雜的材料研究和開發。         

特點：        

◇  靈敏度：高的靈敏度，用於(yu) 可視化迄今為(wei) 止不可見的缺陷和調查外延層的情況        

◇  測量速度：6英寸矽片<5min，分辨率為(wei) 1mm        

◇  壽命範圍：20ns到幾十ms        

◇  汙染測定：源於(yu) 坩堝和設備的金屬（鐵）汙染        

◇  測量能力：從(cong) 切割好的矽片到加工的樣品        

◇  靈活性：固定的測量頭可以與(yu) 外部激光器連接並觸發        

◇  可靠性：模塊化和緊湊型台式儀(yi) 器，可靠性更高，正常運行時間>99%        

◇  重複性：> 99%        

◇  電阻率：電阻率測繪，無需頻繁校準        

       
技術規格:         

MDPmap單晶和多晶矽片壽命測量儀(yi) - 細節：       

◇  MDPmap被設計成一個(ge) 緊湊的台式非接觸電學表征工具，用於(yu) 離線生產(chan) 控製或研發，在穩態或短脈衝(chong) 激勵（μ-PCD）下，在一個(ge) 寬的注入範圍內(nei) 測量參數，如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數設置允許輕鬆適應各種不同的樣品，包括外延層和經過不同製備階段的晶圓，從(cong) 原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。        

◇  MDPmap的主要優(you) 點是它的高度靈活性，例如，它允許集成多達四個(ge) 激光器，用於(yu) 測量從(cong) 較低到高的注入水平的壽命，或通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設施，以及μ-PCD或穩態注入條件的選項。可以用不同的地圖進行客戶定義(yi) 的計算，也可以輸出主要數據進行進一步評估。對於(yu) 標準的計量任務，預定義(yi) 的標準隻需按下一個(ge) 按鈕就能進行常規測量。            

 附加選項：        

◇  光斑大小的變化       

◇  電阻率測量（晶圓）        

◇  方塊電阻        

◇  背景/偏光        

◇  反射測量（MDP）        

◇  太陽能電池的LBIC（擴散長度測量）        

◇  偏壓MDP        

◇  參考晶圓        

◇  矽的內(nei) 部/外部鐵製圖        

◇  集成加熱台        

◇  靈活的激光器配置 

MDPmap單晶和多晶矽片壽命測量儀(yi) - 測量案例：

MDPmap 應用：

鐵濃度測定        

鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為(wei) 鐵是矽中豐(feng) 富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的        

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摻雜樣品的光電導率測量        

B和P的摻雜在微電子工業(ye) 中有許多應用，但到目前為(wei) 止，沒有方法可以在不接觸樣品和由於(yu) 必要的退火步驟而改變其性質的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為(wei) 止的困難……        

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陷阱濃度測定        

陷阱中心是非常重要的，為(wei) 了了解材料中載流子的行為(wei) ，也可以對太陽能電池產(chan) 生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。        

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注入相關(guan) 測量        

少數載流子壽命強烈依賴於(yu) 注入(過剩餘(yu) 載流子濃度)。從(cong) 壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜複合中心和俘獲中心的信息。        

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