MDPspot少子壽命測試儀低成本桌麵單點測量矽片或晶磚，用於在不同製備階段表征各種不同的矽樣品，無需內置自動化。可選手動操作的z軸厚度高達156毫米的矽磚樣品，高達156毫米矽磚，結果可視化的標準軟件。

包括一個(ge) 額外的電阻率測量選項。測量矽的電阻率，可用於(yu) 沒有高度調節可能性的晶圓，或晶磚。必須預先定義(yi) 這兩(liang) 個(ge) 選項中的一個(ge) 。

MDPspot少子壽命測試儀(yi) 特點：        

◇  無接觸無破壞的電學半導體(ti) 特性        

◇  包括μ-PCD測量選項        

◇  對迄今為(wei) 止看不見的缺陷的可視化和外延層的研究具有*的靈敏度        

◇  集成多達四個(ge) 激光器，用於(yu) 寬的注入水平範圍

◇  獲取單次瞬變的原始數據以及用於(yu) 特殊評估目的的地圖        

技術規格:  

MDPspot少子壽命測試儀(yi) 優(you) 點：        

◇  台式裝置，用於(yu) 載流子壽命的單點測量，多晶矽或單晶矽在不同的製備階段，從(cong) 原生材料到器件。        

◇  體(ti) 積小，成本低，使用方便。附帶一個(ge) 基本的軟件，用於(yu) 在小型PC或筆記本上進行結果可視化。        

◇  適用於(yu) 矽片到磚，操作高度調節方便。

細節：        

◇  允許單晶圓片調查        

◇  不同的晶圓級有不同的配方        

◇  監控物料、工藝質量和穩定性      

附加選項：

◇  光斑大小變化

◇  電阻率測量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測量(MDP)

◇  軟件擴展

◇  額外的激光器選配