晶圓片晶錠壽命檢測儀用於常規質量控製、精密材料研發的單晶和多晶片及晶錠的壽命測量

Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device

應用範圍：用於(yu) 常規質量控製、精密材料研發的單晶和多晶片及晶錠的壽命測量

根據SEMI標準PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導性、電阻率和p/n檢查。

晶圓切割，爐內(nei) 監控，材料優(you) 化等。


日常壽命測量，質量控製和檢驗
 
◆產(chan) 量：>240塊/天或>720片/天
◆測量速度：對於(yu) 156x156x400mm標準晶錠，<4分鍾
◆生產(chan) 改善：1mm切割標準為(wei) 156x156x400mm標準晶錠
◆質量控製：用於(yu) 過程和材料的質量監控，如單晶矽或多晶矽
◆汙染測定：起源於(yu) 爐和設備的金屬(Fe)
◆可靠性：模塊化和堅固耐用的工業(ye) 儀(yi) 器，更高的可靠性和運行時間> 99%
◆可重複性:> 99.5%
◆電阻率：不需要經常校準

精密材料研發

鐵濃度測定

陷阱濃度測定

硼氧測定

依賴於(yu) 注入的測量等

特性

*無觸點無破壞的半導體(ti) 特性
特殊的“表麵之下”壽命測量技術
不可見缺陷的 靈敏度的可視化
自動切割標準定義(yi)
空間分辨p/n電導型變換檢測