XRD應用分享 | 單晶外延薄膜高分辨XRD表征

高分辨率 X 射線衍射 (HRXRD) 是一種強大的無損檢測方法，其研究對象主要是單晶材料、單晶外延薄膜材料以及各種低維半導體(ti) 異質結構。普遍用於(yu) 單晶質量、外延薄膜的厚度、組分、晶胞參數、缺陷、失配、弛豫、應力等結構參數的測試。現代HRXRD與(yu) 常規XRD的區別主要體(ti) 現在：（1）高度平行且高度單色的高質量X射線；（2）不僅(jin) 要測試倒易格點的位置（角度），還要測試倒易格點的形狀（缺陷）；（3）更高的理論要求-動力學理論。GaN做第三代半導體(ti) ，目前用於(yu) 電力電子、高頻器件和發光二極管 (LED) 技術等眾(zhong) 多應用中。本報告介紹了HRXRD在GaN LED樣品中的應用。樣品由 6 層InGaN/GaN 量子阱 (QW) 組成，虛擬 GaN 襯底上生長在 2 英寸藍寶石晶片上。文中樣品測試是在德國布魯克D8 ADVANCE X射線衍射儀(yi) 上完成的，該儀(yi) 器配置了HRXRD模塊。

2theta/omega掃描

2theta/omega掃描用於(yu) 探測平行於(yu) 表麵的原子層的相幹散射，可用於(yu) 確定In的組分，麵外晶胞參數、厚度等參數。

測試采用Ge（004）單色器，林克斯探測器0D模式。圖 1 顯示了 GaN (0002) 晶麵的 2theta/omega 掃描圖譜，可見明顯的超晶格蕩峰以及超晶格峰之間的薄膜幹涉條紋。

圖 1 GaN (0002) 晶麵的 2theta/omega掃描圖譜。

倒空間強度分布（RSM）

RSM是直觀的分析薄膜與(yu) 襯底失配關(guan) 係以及薄膜缺陷的方法。傳(chuan) 統的HRXRD上收集一張RSM需要幾個(ge) 甚至幾十個(ge) 小時。現實中往往由於(yu) 機時的限製，很難得到RSM。現代HRXRD利用1D探測器可以極大提高了測試速度，快采集一張RSM隻需要幾十秒。圖2中，展示了GaN （11-24）晶麵的RSM，測試時間為(wei) 30min。 

圖2 GaN(11-24) 晶麵的倒空間強度分布圖（RSM）

圖2中，RSM 中所有倒格點在麵內(nei) （（110）方向）方向在同一位置，表明量子阱多層膜InGaN是在 GaN 襯底上共格晶生長的。 這與(yu) GaN (0002) 晶麵高質量2theta/omega掃描一致。同時，RSM中GaN倒格點形沿著麵內(nei) 展寬，說明界麵處缺陷較多。而每個(ge) 超晶格倒格點無明顯展寬，說明超晶格之間缺陷較少。 

2theta/omega 圖譜擬合結果 

圖3 GaN (0002) 2theta/omega掃描擬合圖譜。藍色：擬合值；黑色：測試值。

圖3中是 基於(yu) 表1中的結構模型，對2theta/omega掃麵進行全譜擬合的結果。可見擬合圖譜與(yu) 測試數據吻合非常好。超晶格峰與(yu) 擬合值之間的微小偏差可能是由采用的擬合模型未考慮In組分的變化。InGaN 層中的超晶格厚度和In含量都可以非常精確地確定。In的含量是生長過程中的一個(ge) 重要參數。 因此，HRXRD 是監控沉積過程的有力工具。

表1 GaN (0002) 2theta/omega掃描擬合模型及結果