德國弗萊貝格電池片PID測試儀PIDcon bifacial技術

自2010年以來，潛在的誘導退化被認為(wei) 是導致模塊故障的主要原因之一。利用弗勞恩霍夫CSP開發的新技術，以及弗萊貝格儀(yi) 器公司的台式工具PIDcon，可以對太陽能電池和微型組件的PID敏感性進行測試，現在已經投入市場。 

了解更多關(guan) 於(yu) PID的原因以及如何研究太陽能電池、微型模塊和封裝材料的敏感性。

PID-s的物理性質

電勢誘導退化（PID）是在晶體(ti) 矽組件中觀察到的較高危險的退化現象之一。在了解分流型PID（PID-s）的基本機製方麵已經取得了很大進展。

PID-s的物理性質

在現場，模塊中的前玻璃表麵和太陽能電池之間可能會(hui) 出現較大的電位，矽太陽能電池的p-n結會(hui) 發生分流，從(cong) 而導致電阻和功率輸出下降。

以下模型是由[1]提出的：

模塊中存在的高場強導致Na+漂移通過SiNx層。鈉離子在SiNx/Si界麵（SiOx）橫向擴散，並裝飾了堆疊故障。pn結通過高度裝飾的堆積斷層的缺陷水平被分流（過程1），另外，由於(yu) 耗盡區的缺陷狀態的重組過程，J02增加（過程2）。請注意，Na離子應該是來自Si表麵而不是玻璃。

因此，模塊的易感性主要取決(jue) 於(yu) SiNx層以及玻璃和EVA箔的電阻率。

參考文獻：

[1] V. Naumann et al., The role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (PID) of crystalline Si solar cells, Phys. Stat. Solidi RRL 7, No. 5 (2013) 315-318