技術文章
TECHNICAL ARTICLES
更新時間：2023-06-15
點擊次數：1255
B（硼）和P（磷）的摻雜被用於(yu) 微電子工業(ye) 的許多應用，但是到目前為(wei) 止，還沒有一種方法可以在不接觸樣品並由於(yu) 必要的退火步驟而改變其特性的情況下檢查這些摻雜的均勻性。到目前為(wei) 止的困難是，摻雜區域通常隻有幾微米的深度，而且摻雜的劑量非常低。MDP能夠以高的分辨率來描述這些摻雜的樣品，並能很好地區分不同的摻雜劑量。
在這種情況下，光導率或信號高度是檢測摻雜物中不均勻性的敏感的參數。它在很大程度上取決(jue) 於(yu) 電阻率和少數載流子壽命本身。
在MDPmap和MDPingot設備中，可以集成4個(ge) 不同波長的激光器。此外，還可以用不同的脈衝(chong) 長度進行測量，從(cong) 隻有100ns的非常短的脈衝(chong) ，即沒有載流子擴散發生，到幾個(ge) ms的脈衝(chong) 長度，即載流子擴散到樣品的深度。因此，通過改變激光波長和脈衝(chong) 長度，有可能以不同的滲透深度進行測量。
圖1：摻雜深度為(wei) 2微米的P型摻雜劑
圖2：不同P型摻雜濃度下的樣品的光導率測量
實驗在這種情況下，我們(men) 選擇了脈衝(chong) 長度為(wei) 100ns的660nm激光器；因此，實現了大約4μm的穿透深度。圖1顯示了測量的Cz-Si樣品中摻雜的P型摻雜劑，圖2顯示了如何通過光導率測量來區分不同的摻雜濃度。
掃一掃，關(guan) 注公眾(zhong) 號
服務電話：
021-34685181
上海市鬆江區千帆路288弄G60科創雲廊3號樓602室
wei.zhu@shuyunsh.com
當前位置：
