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更新時間：2023-06-11
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有了MDPingot和MDPmap係列，就可以全自動地測量磚塊和矽片中的鐵濃度，而且分辨率非常高。鐵硼對解離前後的壽命測量是一種**使用的測定矽片中鐵的方法。在高摻雜濃度的摻硼矽中，因為(wei) 它被用於(yu) 光伏應用，幾乎100%的電活性鐵以FeB對的形式存在。在有足夠能量的光照下，這些鐵對可以在Fe和B中解離。這個(ge) 過程是可逆的，在一段時間後，所有的FeB對都會(hui) 再次結合。FeB和Fei有不同的重組特性，因此解離對測量的壽命有影響。在這種影響下，鐵的濃度可以通過以下方式確定：
對於(yu) 鐵的測定，使用了一個(ge) 校準係數C，它取決(jue) 於(yu) 注入、摻雜濃度和陷阱濃度，這在多晶矽中必須加以考慮。通過MDP，可以對多晶矽和單晶矽進行高分辨率的鐵濃度測定，並且由於(yu) 模擬和多年的研究，還具有很高的精度。
照明前的壽命圖和產(chan) 生的鐵圖
關(guan) 於(yu) 鐵的測定和校準係數的依賴性的更多信息，請閱讀：
[1] S. Rein and S. W. Glunz, Journal of Applied Physics 98 (2005).
[2] N.Schüler, T.Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, Solid State phenomena to be published
陷阱濃度測定的工具
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